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内存条常识介绍

时间：2021-01-25 18:01:33 硬件知识我要投稿

内存条常识介绍

　　内存条对于电脑的重要就好像心脏对于我们人类一样的重要，下面是小编分享的内存条常识介绍，一起来看一下吧。

　　看懂内存条

　　我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢?常见的“内存条”又有哪些类型呢?

　　1.内存条的诞生

　　当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。

　　内存虽然容量不大，一般只有几十MB到几百MB，但中转速度非常快，如此一来，当CPU需要数据时，事先可以将部分数据存放在内存中，以解CPU的燃眉之急。由于内存只是一个“中转仓库”，因此它并不能用来长时间存储数据。

　　2.常见的内存条

　　目前PC中所用的内存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三种类型。

　　曾经主流—SDRAM

　　SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。

　　随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。

　　今日主流—DDR SDRAM

　　DDR SDRAM(简称DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度)技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。

　　从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是168个引脚，并且有两个缺口。

　　根据DDR内存条的'工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。

　　小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。

　　除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/s，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。

　　小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/s表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽=工作频率×位宽/8×n(时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2)。

　　由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。

　　过时的贵族—RDRAM

　　RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDRAM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。

　　从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。

　　从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。

　　3.内存的封装

　　目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。

　　TSOP封装：TOSP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装)的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。

　　BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。

　　CSP封装：CSP(Chip Scale Package，芯片级封装)作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。CSP封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存。

　　内存强档

　　要进一步了解内存，以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数，它们都可以在主板BIOS中设置，这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。

　　1.时钟周期(TCK)

　　TCK 是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK=1/F。比如一块标有“-10”字样的内存芯片，“-10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。

　　2.存取时间(TAC)

　　TAC(Access Time From CLK)表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“-7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。

　　3.CAS延迟时间(CL)

　　CL(CAS Latency)是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而 “缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。

　　4.奇偶校验(ECC)

　　内存是一种数据中转“仓库”，而在频繁的中转过程中，一旦搞错了数据怎么办?而ECC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存，它们一般应用在高端的服务器电脑中。

　　目前市场上主流的内存有SDRAM和DDR SDRAM，内存条品牌主要有金士顿、三星、宇瞻、富豪、现代等等。

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